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VDSS = 100V
RDS(on) = 26.5mΩ
ID = 36A
Description
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications
Features
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
IRF540Z产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF540Z
- 功能描述
MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
IR |
19+ |
TO-220 |
56335 |
||||
Infineon Technologies |
24+ |
TO-220AB |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-220 |
18346 |
原装进口假一罚十 |
|||
IOR |
24+ |
TO220 |
8000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-263 |
3020 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
N/A |
12000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
IR |
22+ |
D2-PAK |
9450 |
原装正品，实单请联系 |
|||
IR |
24+ |
TO-220AB |
9300 |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
|||
INFINEON |
24+ |
TO-220 |
42000 |
原装现正品可看现货 |
IRF540ZSTRLPBF 价格
参考价格：￥5.0353
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- IC41C16256-60TIG
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IRF相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
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- P95
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International Rectifier
中文资料: 32033条
International Rectifier Corporation（简称IRF）是一家全球领先的功率半导体制造商，成立于1947年，总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案，其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名，提供多种类型的整流二极管，包括肖特基二极管和超快恢复二极管，同时还开发IGBT（绝缘栅双极晶体管）和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉，并于2014年被英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收购，这一收购旨在增强英飞凌在
