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IRF520NS中文资料

厂家型号

IRF520NS

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185.16Kbytes

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10

功能描述

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A)

MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK

数据手册

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生产厂商

IRF

IRF520NS数据手册规格书PDF详情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced Process Technology

• Surface Mount (IRF520NS)

• Low-profile through-hole (IRF520NL)

• 175°C Operating Temperature

• Fast Switching

• Fully Avalanche Rated

IRF520NS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF520NS

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-5 16:06:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
2025+
TO-263
32560
原装优势绝对有货
IR
24+
D2-PAK
150
只做原厂渠道 可追溯货源
Infineon(英飞凌)
24+
D2PAK
8357
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
INFINEON/英飞凌
23+/24+
TO263
9865
用芯服务,原装正品MOS(场效应管)
IR
24+
TO-263
501293
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
IR
2024+
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24+
D2-Pak
8866
IR
23+
TO-263
11846
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IRF520NSTRLPBF 价格

参考价格:¥2.0314

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