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IRF3515S中文资料
IRF3515S数据手册规格书PDF详情
Benefits
● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement
● Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness
● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current
● Effective Coss Specified (See AN 1001)
Applications
● Switch Mode Power Supply (SMPS)
● Uninterruptible Power Supply
● High speed power switching
IRF3515S产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF3515S
- 功能描述
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
更新时间：2025-10-4 10:10:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
21+ |
TO-263 |
20000 |
原装现货假一罚十 |
|||
IR |
25+23+ |
TO263 |
13397 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
2100 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
IR |
17+ |
D2-Pak |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
|||
IR |
2021+ |
TO-263 |
9000 |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
501278 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
IR |
2450+ |
TO-263 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
IR |
06+ |
TO-263 |
3000 |
全新原装 绝对有货 |
|||
IR |
24+/25+ |
712 |
原装正品现货库存价优 |
||||
IR |
24+ |
原厂封装 |
2000 |
原装现货假一罚十 |
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Datasheet数据表PDF页码索引
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