位置：IRF1405ZS-7PPBF > IRF1405ZS-7PPBF详情
IRF1405ZS-7PPBF中文资料
IRF1405ZS-7PPBF数据手册规格书PDF详情
VDSS = 55V
RDS(on) = 4.9mΩ
ID = 120A
Description
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
Features
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
● Lead-Free
IRF1405ZS-7PPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF1405ZS-7PPBF
- 功能描述
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 4.9mOhms 150nC
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
IR |
23+ |
TO-263-7 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
IR |
18+ |
D2-Pak |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
||||
IR |
22+ |
TO-263-7 |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
|||
IR |
23+ |
TO-263-7 |
8000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
IR |
23+ |
TO-263-7 |
8000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
IR |
23+ |
TO-263-7 |
7000 |
||||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
IR |
14+PBF |
TO263-7P |
5000 |
现货 |
IRF1405ZS-7PPBF 资料下载更多...
IRF1405ZS-7PPBF 芯片相关型号
- 74ACT11802
- 94SVP157X0016F8
- 94SVP277X0010F8
- 94SVP826X06R3C6
- AP60T03AH
- BQ2084DBTG4
- BQ2084-V143
- CDCE913PWG4
- DA03-11SRWA
- HYS64T128020EML
- M93C46-RMN3G/S
- M93C56-RMN3G/S
- M93C56-WMN3G/S
- M93C66-WMB3G/S
- M93C86-RMN3G/S
- M93C86-WMB3G/S
- MC145442BDW
- MC145442BP
- ML145583-7P
- NACC2R2K356.3X6.1TR13F
- NACC3R3K356.3X6.1TR13F
- NRB-XS221M160V10X20F
- NRELW221M10012.5X15F
- NRE-SN2R2M354X7F
- NRE-SW4R7M254X7TRF
- SN74AS869DWR
- SN74AS869DWRE4
- SNJ54AS869FK
- SNJ54AS869W
- TLE2024ACDWRG4
IRF相关芯片制造商
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
International Rectifier
中文资料: 32183条
International Rectifier Corporation（简称IRF）是一家全球领先的功率半导体制造商，成立于1947年，总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案，其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名，提供多种类型的整流二极管，包括肖特基二极管和超快恢复二极管，同时还开发IGBT（绝缘栅双极晶体管）和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉，并于2014年被英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收购，这一收购旨在增强英飞凌在
