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IRF1404L数据手册规格书PDF详情
Description
Seventh Generation HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing
techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
IRF1404L产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF1404L
- 功能描述
MOSFET N-CH 40V 162A TO-262
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
IR |
2020+ |
TO-262 |
9600 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
TO-262 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
IR/VISHAY |
TO-262 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
||||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-262 |
4 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
IR |
24+ |
TO-220 |
7550 |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-262 |
8498 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-262 |
1174 |
原装现货 |
|||
IR |
24+ |
TO-262 |
6000 |
原装现货假一赔十 |
IRF1404LPBF 价格
参考价格：￥7.2251
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International Rectifier
中文资料: 32179条
International Rectifier Corporation（简称IRF）是一家全球领先的功率半导体制造商，成立于1947年，总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案，其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名，提供多种类型的整流二极管，包括肖特基二极管和超快恢复二极管，同时还开发IGBT（绝缘栅双极晶体管）和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉，并于2014年被英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收购，这一收购旨在增强英飞凌在
