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GIB10B60KD1中文资料

厂家型号

GIB10B60KD1

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12

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

数据手册

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生产厂商

IRF

GIB10B60KD1数据手册规格书PDF详情

Features

• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

• Low Diode VF.

• 10µs Short Circuit Capability.

• Square RBSOA.

• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.

• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

• Maximum Junction Temperature Rated at 175°C

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control.

• Rugged Transient Performance.

• Low EMI.

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

更新时间:2025-10-5 16:30:00
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