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GB10RF120K中文资料

厂家型号

GB10RF120K

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12

功能描述

IGBT PIM MODULE

IGBT 模块 20 Amp 1200 Volt Non-Punch Through

数据手册

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生产厂商

IRF

GB10RF120K产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GB10RF120K

  • 功能描述

    IGBT 模块 20 Amp 1200 Volt Non-Punch Through

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-10-8 14:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
25+
MODULE
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IR
23+
MODULE
7300
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2450+
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6540
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品
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原厂封装
50000
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83271612邹小姐
GeneSiC
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电联咨询
7800
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GeneSiC Semiconductor
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23+
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