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GB10B60KD中文资料

厂家型号

GB10B60KD

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15

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

数据手册

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生产厂商

IRF

GB10B60KD数据手册规格书PDF详情

Features

• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

• Low Diode VF.

• 10µs Short Circuit Capability.

• Square RBSOA.

• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.

• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control.

• Rugged Transient Performance.

• Low EMI.

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

更新时间:2025-10-6 14:04:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
22+
TO-220
6000
终端可免费供样,支持BOM配单
IR
23+
TO-220
8000
只做原装现货
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200000
原装进口正口,支持样品