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F1010E中文资料

厂家型号

F1010E

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8

功能描述

Power MOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=12mohm,Id=84A?

数据手册

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生产厂商

International Rectifier

简称

IRF

中文名称

官网

LOGO

F1010E数据手册规格书PDF详情

• Advanced Process Technology

• Ultra Low On-Resistance

• Dynamic dv/dt Rating

• 175°C Operating Temperature

• Fast Switching

• Fully Avalanche Rated

Description

Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well

known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

更新时间:2025-5-7 16:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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International Rectifier

中文资料: 32033条

International Rectifier Corporation(简称IRF)是一家全球领先的功率半导体制造商,成立于1947年,总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案,其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名,提供多种类型的整流二极管,包括肖特基二极管和超快恢复二极管,同时还开发IGBT(绝缘栅双极晶体管)和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉,并于2014年被英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)收购,这一收购旨在增强英飞凌在