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FSL110R3中文资料

厂家型号

FSL110R3

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8

功能描述

3.5A, 100V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs

数据手册

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生产厂商

INTERSIL

FSL110R3数据手册规格书PDF详情

Features

• 3.5A, 100V, rDS(ON) = 0.600Ω

• Total Dose

    - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)

• Single Event

    - Safe Operating Area Curve for Single Event Effects

    - SEE Immunity for LET of 36MeV/mg/cm2 with VDS up to 80 of Rated Breakdown and VGS of 10V Off-Bias

• Dose Rate

    - Typically Survives 3E9 RAD (Si)/s at 80 BVDSS

    - Typically Survives 2E12 if Current Limited to IDM

• Photo Current

    - 0.3nA Per-RAD(Si)/s Typically

• Neutron

    - Maintain Pre-RAD Specifications for 3E13 Neutrons/cm2

    - Usable to 3E14 Neutrons/cm2

FSL110R3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FSL110R3

  • 制造商

    INTERSIL

  • 制造商全称

    Intersil Corporation

  • 功能描述

    3.5A, 100V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs

更新时间:2025-10-11 14:20:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FSC
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DIP8
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