英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全产业链模式，建立了全球首条产能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圆量产线。 公司核心技术团队由众多资深的国际一流半导体专家组成，我们相信GaN可以改变世界，我们的目标是以更低的价格，向客户提供品质一流、可靠性优异的GaN器件，并且实现GaN技术在市场的广泛应用。

英诺赛科的核心技术团队由半导体和（电力）电子行业的专家和资深人士组成。 他们均来自世界一流的领先公司，在硅基氮化镓技术的开发和大规模量产方面拥有丰富的经验。

此外，为了展示英诺赛科在氮化镓技术领域拥有的潜力，并更加顺利地推广产品，英诺赛科还汇集了系统工程领域的专家，用于进行面向特殊应用和客户的开发板及其他电路系统的研制。

HV GaN HEMT、LV GaN HEMT、VGaN、SolidGaN、Driver IC