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位置：SPD30P06P > SPD30P06P详情

SPD30P06P中文资料

SPD30P06P
厂家型号

SPD30P06P
文件大小

557.33Kbytes
页面数量

10页
功能描述

SIPMOS횘 Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated

MOSFET P-CH -60 V -30 A
数据手册

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生产厂商

INFINEON

相近规格书

SPD30P06P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SPD30P06P

  • 功能描述

    MOSFET P-CH -60 V -30 A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

SPD30P06P供应商...

更新时间：2025-10-4 22:59:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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SPD30P06PGBTMA1 价格

参考价格：￥5.1280

型号：SPD30P06PGBTMA1 品牌：Infineon Technologies 备注：这里有SPD30P06P多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SPD30P06P批发/采购报价，SPD30P06P行情走势销售排排榜，SPD30P06P报价。

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