位置:SIGC156T60NR2C > SIGC156T60NR2C详情

SIGC156T60NR2C中文资料

厂家型号

SIGC156T60NR2C

文件大小

70.07Kbytes

页面数量

4

功能描述

IGBT Chip in NPT-technology

IGBT 晶体管 IGBT CHIP IN NPT TECHNOLOGY

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

INFINEON

SIGC156T60NR2C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIGC156T60NR2C

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 IGBT CHIP IN NPT TECHNOLOGY

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-6 15:04:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
23+
1
8000
只做原装现货
INFINEON
23+
1
7000
INFINEON/英飞凌
22+
N/A
9000
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优
INFINEON/英飞凌
22+
N/A
15000
英飞凌MOS管、IGBT大量有货
INFINEON
24+
con
35960
查现货到京北通宇商城
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
Infineon Technologies
25+
模具
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证