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IPT067N20NM6中文资料

厂家型号

IPT067N20NM6

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功能描述

MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 200 V

数据手册

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生产厂商

INFINEON

IPT067N20NM6数据手册规格书PDF详情

Features

• N-channel, normal level

• Very low on-resistance RDS(on)

• Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)

• Very low reverse recovery charge (Qrr)

• High avalanche energy rating

• 175°C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

• MSL 1 classified according to J-STD-020

• 100 avalanche tested

更新时间:2025-12-3 15:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
23+
PG-HSOF-8
15500
英飞凌优势渠道全系列在售
Infineon(英飞凌)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
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