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IPT026N12NM6中文资料

厂家型号

IPT026N12NM6

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功能描述

OptiMOS™ 6 Power ‑Transistor, 120 V

数据手册

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生产厂商

INFINEON

IPT026N12NM6数据手册规格书PDF详情

Features

• N‑channel, normal level

• Very low on‑resistance RDS(on)

• Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on)

• Very low reverse recovery charge (Qrr)

• High avalanche energy rating

• 175°C operating temperature

• Optimized for high frequency switching

• Pb‑free lead plating; RoHS compliant

• Halogen‑free according to IEC61249‑2‑21

• MSL 1 classified according to J‑STD‑020

更新时间:2026-2-24 18:03:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
25+
原厂封装
10280
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INFINEON
19+
H-PSOF-8-1
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MOSFET管
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25+
SMD
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只做原装正品 有挂有货 假一赔十
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原装现货假一罚十
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INFINEON/英飞凌
2450+
HSOF-8
9850
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
INFINEON/英飞凌
23+
HSOF-8
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种