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IPP120N06S4-H1中文资料

厂家型号

IPP120N06S4-H1

文件大小

175.74Kbytes

页面数量

9

功能描述

OptiMOS-T2 Power-Transistor

MOSFET N-Channel 60V MOSFET

数据手册

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生产厂商

INFINEON

IPP120N06S4-H1数据手册规格书PDF详情

Features

• N-channel - Enhancement mode

• AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green Product (RoHS compliant)

• 100 Avalanche tested

IPP120N06S4-H1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPP120N06S4-H1

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel 60V MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-9 18:10:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
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