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IPI65R110CFD中文资料

厂家型号

IPI65R110CFD

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3859.34Kbytes

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20

功能描述

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262

数据手册

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生产厂商

INFINEON

IPI65R110CFD数据手册规格书PDF详情

Description

CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies.

Features

• Ultra-fast body diode

• Very high commutation ruggedness

• Extremely low losses due to very low FOM Rdson^Qg and Eoss

• Easy to use/drive

​​​​​​​• Qualified for industrial grade applications according to JEDEC 

   (J-STD20 and JESD22)

• Pb-free plating, Halogen free mold compound

Applications

   650V CoolMOS CFD2 is especially suitable for resonant switching PWM

   stages for e.g. PC Silverbox, LCT TV, Lighting, Server, Telecom and Solar.

IPI65R110CFD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPI65R110CFD

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    CoolMOS™

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-10 16:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
-
7793
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
INFINEON
22+
TO-262
8000
终端可免费供样,支持BOM配单
INFINEON
23+
TO-262
8000
专注配单,只做原装进口现货
INFINEON
23+
TO-262
7000
INFINEON/英飞凌
22+
TO262
22424
INFINEON
25+
TO262-3
326
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Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
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17+
I2PAK(TO-
6200
100%原装正品现货
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24+
NA
3740
进口原装正品优势供应
INFINEON
24+
I2PAK(TO-262)
5850
全新原装现货