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IPI111N15N3G中文资料

厂家型号

IPI111N15N3G

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功能描述

OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product(FOM)

数据手册

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生产厂商

INFINEON

IPI111N15N3G数据手册规格书PDF详情

Features

• N-channel, normal level

• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

• Very low on-resistance R DS(on)

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen free

• Qualified according to JEDEC1) for target application

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

IPI111N15N3G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPI111N15N3G

  • 制造商

    INFINEON

  • 制造商全称

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product(FOM)

更新时间:2025-10-6 14:04:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
24+
TO-262
16949
原装进口假一罚十
Infineon(英飞凌)
24+
TO-262
8145
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
infineon
23+
TO-262
50000
全新原装正品现货,支持订货
infineon
10+
TO-262
45
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
INFINEON
23+
TO-262
9000
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优
infineon
24+
TO-262
8500
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售
Infineon
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
INFINEON
23+
TO-262
25000
英飞凌MOS管全系列在售,终端可供样品
Infineon/英飞凌
24+
PG-TO262-3
8000
只做原装,欢迎询价,量大价优
Infineon/英飞凌
2025+
PG-TO262-3
8000