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IPD35N10S3L-26中文资料

厂家型号

IPD35N10S3L-26

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33.25Kbytes

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1

功能描述

Material Content Data Sheet

MOSFET N-Channel enh MOSFET 100V

数据手册

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生产厂商

INFINEON

IPD35N10S3L-26产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPD35N10S3L-26

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel enh MOSFET 100V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-18 9:38:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
20+
TO-252
12115
终端可免费提供样品,欢迎咨询
INFINEON/英飞凌
25+
PG-TO252-3
20300
INFINEON/英飞凌原装特价IPD35N10S3L-26即刻询购立享优惠#长期有货
INFINEON
21+
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10000
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TO252
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IPD35N10S3L-26 价格

参考价格:¥2.1029

型号:IPD35N10S3L-26 品牌:Infineon 备注:这里有IPD35N10S3L-26多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IPD35N10S3L-26批发/采购报价,IPD35N10S3L-26行情走势销售排排榜,IPD35N10S3L-26报价。

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