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IPB80N04S3-04中文资料

厂家型号

IPB80N04S3-04

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193.03Kbytes

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9

功能描述

OptiMOS-T Power-Transistor

MOSFET N-CH 40V 80 A

数据手册

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生产厂商

INFINEON

IPB80N04S3-04产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPB80N04S3-04

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 40V 80 A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-31 18:11:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
24+
TO-263
64000
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INFINEON/英飞凌
2021+
TO-263
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INFINEON/英飞凌
25+
TO-263
14000
全新原装正品支持含税
Infineon(英飞凌)
25+
TO-263-3
21000
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。
Infineon(英飞凌)
25+
TO-263-3
21000
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。
INFINEON
24+
PG-TO263-3D2-PAK(T
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