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IPB180N03S4L-H0中文资料

厂家型号

IPB180N03S4L-H0

文件大小

172.11Kbytes

页面数量

9

功能描述

OptiMOS-T2 Power-Transistor

MOSFET N-Channel 30V MOSFET

数据手册

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生产厂商

Infineon Technologies AG

简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

LOGO

IPB180N03S4L-H0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPB180N03S4L-H0

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel 30V MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-5-18 16:38:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
23+
TO-263-7
6000
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12500
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Infineon(英飞凌)
24+
TO-263-7
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INFINEON/英飞凌
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IPB180N03S4L-H0 价格

参考价格:¥7.8586

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Infineon Technologies AG 英飞凌科技股份公司

中文资料: 35706条

英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)是一家全球领先的半导体制造商,成立于1999年,总部位于德国。英飞凌专注于提供高效能和高可靠性的半导体解决方案,广泛应用于汽车、工业、通信以及消费电子等多个领域。公司的产品涵盖了功率半导体、微控制器、安全芯片和传感器等多种类型,致力于满足客户在能效、节能和安全方面的需求。 在汽车电子领域,英飞凌是重要的市场参与者,提供各种关键的解决方案,例如用于电动汽车和混合动力汽车的功率管理系统。此外,英飞凌还专注于提高工业自动化和智能家居系统的性能,通过其先进的传感器和控制技术促进智能制造和数字化转型。 公司在全球范围内拥有多个研发和制