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IPB160N04S3-H2中文资料

厂家型号

IPB160N04S3-H2

文件大小

197.75Kbytes

页面数量

9

功能描述

OptiMOS-T Power-Transistor

MOSFET N-CH 40V 160 A

数据手册

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生产厂商

INFINEON

IPB160N04S3-H2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPB160N04S3-H2

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 40V 160 A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-13 17:22:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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IPB160N04S3-H2 价格

参考价格:¥7.9594

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