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IPB133N12NM6中文资料

厂家型号

IPB133N12NM6

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功能描述

MOSFET OptiMOS™ 6 Power‑Transistor, 120 V

数据手册

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生产厂商

INFINEON

IPB133N12NM6数据手册规格书PDF详情

Features

• N‑channel, normal level

• Very low on‑resistance RDS(on)

• Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)

• Very low reverse recovery charge (Qrr)

• High avalanche energy rating

• 175°C operating temperature

• Optimized for high frequency switching

• Pb‑free lead plating; RoHS compliant

• Halogen‑free according to IEC61249‑2‑21

• MSL 1 classified according to J‑STD‑020

更新时间:2026-1-26 18:48:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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