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IPB108N15N3中文资料

厂家型号

IPB108N15N3

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438.68Kbytes

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11

功能描述

OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

MOSFET N-KANAL POWER MOS

数据手册

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生产厂商

INFINEON

IPB108N15N3数据手册规格书PDF详情

Features

• N-channel, normal level

• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

• Very low on-resistance R DS(on)

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen free

• Qualified according to JEDEC1) for target application

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

IPB108N15N3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPB108N15N3

  • 功能描述

    MOSFET N-KANAL POWER MOS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-17 18:27:00
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IPB108N15N3GATMA1 价格

参考价格:¥12.3176

型号:IPB108N15N3GATMA1 品牌:Infineon Technologies 备注:这里有IPB108N15N3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IPB108N15N3批发/采购报价,IPB108N15N3行情走势销售排排榜,IPB108N15N3报价。