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IMWH170R450M1中文资料

厂家型号

IMWH170R450M1

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功能描述

CoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET

数据手册

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生产厂商

INFINEON

IMWH170R450M1数据手册规格书PDF详情

Features

• VDSS = 1700 V at Tvj = 25°C

• IDDC = 10 A at TC = 25°C

• RDS(on) = 450 mΩ at VGS = 12 V, Tvj = 25°C

• Optimized for fly-back topologies

• 12 V / 0 V gate-source voltage compatible with most fly-back controllers

• Very low switching losses

• Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V

• Fully controllable dv/dt for EMI optimization

• .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance

更新时间:2025-10-17 14:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
24+
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