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IKB10N60T中文资料

厂家型号

IKB10N60T

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643.39Kbytes

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13

功能描述

IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode

IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A

数据手册

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生产厂商

INFINEON

IKB10N60T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IKB10N60T

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-14 15:08:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
24+
TO-263
5000
原厂授权代理 价格绝对优势
INFINEON
2430+
TO-263
8540
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
Infineon(英飞凌)
24+
TO263
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原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
INFINEON/英飞凌
25+
TO-263
11100
全新原装正品支持含税
INFINEON/英飞凌
24+
SOT-263
17193
原装进口假一罚十
Infineon
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
INFINEON
24+
P-TO-263-3-2
8866
INFINEON
100
原装现货,价格优惠
Infineon
24+
NA
3455
进口原装正品优势供应
INFINEON
23+
TO-263
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十