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IKB01N120H2中文资料

厂家型号

IKB01N120H2

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385.62Kbytes

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14

功能描述

HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A

数据手册

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生产厂商

INFINEON

IKB01N120H2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IKB01N120H2

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-15 16:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
24+
P-TO263-3-2
8866
INFINEON
18+
TO-263
41200
原装正品,现货特价
INFINEON
23+
TO-220
8000
只做原装现货
INFINEON
23+
TO-220
7000
INFINEON
24+
TO-220
4500
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
INFINEON
23+
1A,1200V
20000
全新原装假一赔十
INFINEON/英飞凌
22+
TO-247
15000
英飞凌MOS管、IGBT大量有货
INFINEON/英飞凌
22+
TO-247
9000
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优
INFINEON/英飞凌
22+
TO-220
17574
Infineon
23+
TO-263
1200
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