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芯片资料

精确

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Features

• Enhancement mode transistor

• Ultra‑fast switching

• No reverse‑recovery charge

• Capable of reverse conduction

• Low gate and output charge

• Superior commutation ruggedness

• 2 kV HBM ESD standards

Potential applications

Consumer applications like charger, adapter, TV power, home appliance

IGLR70R140D2S供应商...

更新时间：2026-2-22 9:30:00

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