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FS50R12KT4_B15中文资料

厂家型号

FS50R12KT4_B15

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350.25Kbytes

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8

功能描述

EconoPACK2 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 Diode

IGBT 模块 IGBT 1200V 50A

数据手册

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生产厂商

INFINEON

FS50R12KT4_B15产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FS50R12KT4_B15

  • 功能描述

    IGBT 模块 IGBT 1200V 50A

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-10-12 14:20:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
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