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FP10R06W1E3中文资料

厂家型号

FP10R06W1E3

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650.63Kbytes

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12

功能描述

EasyPIM module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC

IGBT 模块 N-CH 600V 16A

数据手册

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生产厂商

INFINEON

FP10R06W1E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FP10R06W1E3

  • 功能描述

    IGBT 模块 N-CH 600V 16A

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-8-6 15:18:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
-
923
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
INFINEON
23+
NA
10000
原装现货,实单价格可谈
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原装分销
INFINEON
17+
10A/600V
9888
全新进口原装,现货库存
Infineon
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9000
原厂渠道,现货配单
INFINEON
25+
IGBT
1000
原厂原装,价格优势
INFINEON
23+
10A,600V
20000
全新原装假一赔十
Infineon
23+
标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保

FP10R06W1E3_B11 价格

参考价格:¥146.9125

型号:FP10R06W1E3_B11 品牌:Infineon 备注:这里有FP10R06W1E3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FP10R06W1E3批发/采购报价,FP10R06W1E3行情走势销售排排榜,FP10R06W1E3报价。