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FF200R12KT3_E中文资料
FF200R12KT3_E产品属性
- 类型
描述
- 型号
FF200R12KT3_E
- 功能描述
IGBT 模块 IGBT 1200V 200A
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
更新时间：2025-10-11 14:37:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
- |
914 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
Infineon |
23+ |
NA |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
IGBT |
3000 |
全新原装正品支持含税 |
|||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
Infineon |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
||||
INFINEON |
原厂封装 |
1000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
INFINEON |
23+ |
IGBT |
9800 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
INFINEON |
24+ |
con |
35960 |
查现货到京北通宇商城 |
|||
INFINEON |
24+ |
con |
35960 |
查现货到京北通宇商城 |
|||
INFINEON |
24+ |
MODULE |
1000 |
全新原装现货 |
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