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FD1000R33HE3-K中文资料

厂家型号

FD1000R33HE3-K

文件大小

522.809Kbytes

页面数量

12

功能描述

IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode

IGBT 模块 IGBT 3300V 1000A

数据手册

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生产厂商

INFINEON

FD1000R33HE3-K产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FD1000R33HE3-K

  • 功能描述

    IGBT 模块 IGBT 3300V 1000A

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2026-3-6 23:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
AG-IHVB190-3
907
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
INFINEON
2025+
N/A
70000
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Infineon Technologies
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1000
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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23+
标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
INFINEON
23+
AG-IHVB190-3
7000
INFINEON
24+
con
35960
查现货到京北通宇商城
INFINEON
23+
AG-IHVB190-3
8000
只做原装现货
Infineon(英飞凌)
2021/2022+
7000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
Infineon/英飞凌
24+
AG-IHVB190-3
8000
只做原装,欢迎询价,量大价优

FD1000R33HE3-K 价格

参考价格:¥15103.1861

型号:FD1000R33HE3-K 品牌:Infineon 备注:这里有FD1000R33HE3-K多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FD1000R33HE3-K批发/采购报价,FD1000R33HE3-K行情走势销售排排榜,FD1000R33HE3-K报价。