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F3L100R07W2E3_B11中文资料

厂家型号

F3L100R07W2E3_B11

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825.69Kbytes

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11

功能描述

EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC

IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 100A

数据手册

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生产厂商

INFINEON

F3L100R07W2E3_B11产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    F3L100R07W2E3_B11

  • 功能描述

    IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 100A

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-10-20 17:20:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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模块
1030
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F3L100R07W2E3_B11 价格

参考价格:¥339.7398

型号:F3L100R07W2E3_B11 品牌:Infineon 备注:这里有F3L100R07W2E3_B11多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,F3L100R07W2E3_B11批发/采购报价,F3L100R07W2E3_B11行情走势销售排排榜,F3L100R07W2E3_B11报价。