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BSC500N20NS3G中文资料

厂家型号

BSC500N20NS3G

文件大小

580.52Kbytes

页面数量

9

功能描述

OptiMOSTM3 Power-Transistor

MOSFET MV POWER MOS

数据手册

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生产厂商

INFINEON

BSC500N20NS3G数据手册规格书PDF详情

Features

• N-channel, normal level

• Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)

• Very low on-resistance RDS(on)

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC1) for target application

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

BSC500N20NS3G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSC500N20NS3G

  • 功能描述

    MOSFET MV POWER MOS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-16 11:24:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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