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12M1H060中文资料

厂家型号

12M1H060

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17

功能描述

CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET

数据手册

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生产厂商

INFINEON

12M1H060数据手册规格书PDF详情

Features

 Very low switching losses

 Threshold-free on state characteristic

 Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V

 0V turn-off gate voltage for easy and simple gate drive

 Fully controllable dV/dt

 Robust body diode for hard commutation

 Temperature independent turn-off switching losses

 Sense pin for optimized switching performance

更新时间:2025-11-3 16:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CEM
24+
SMD-8
50000
原厂原装
13+
4990
原装分销
24+
N/A
58000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
YIC
25+
HC-49/US
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
GEN
24+/25+
23
原装正品现货库存价优
DIP
23+
12m26
300000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
NDK
20+
SMD
18810
原装现货
HONEYWELL
25+
开关元件
96
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Osram/Sylvania-Inc.
238
全新原装 货期两周
Osram / Sylvania- Inc.
2022+
234
全新原装 货期两周