IceMOS Technology 成立于 2004 年，致力于将自己打造成具有成本效益/高性能的超级结 MOSFET、MEMS 解决方案和先进工程基板的一流供应商。我们的核心专长是晶圆键合、深度反应离子蚀刻 (DRIE) 和晶圆成型。 我们利用我们在 DRIE 方面的专业知识，为客户在体硅衬底或 SOI 上提供沟槽蚀刻和再填充服务。结合我们的 SOI 和沟槽蚀刻和再填充技术，我们为客户提供独特的介电隔离衬底制备服务。 SOI 材料广泛用于电信产品和光学设备、介电隔离集成电路、固态继电器和用于 MEMS 传感器的微加工组件、执行器和瑞士豪华手表行业的硅手表零件等应用。 如果尚未提供，