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IXYR50N120C3D1

1200V XPTTM IGBT GenX3TM w/ Diode

High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching Features • Silicon Chip on Direct-Copper Bond (DCB) Substrate • Isolated Mounting Surface • 2500V~ Electrical Isolation • Optimized for Low Switching Losses • Square RBSOA • Positive Thermal Coefficient of Vce(sat) • Anti-Parallel Ultra Fast

IXYS

IXYR50N120C3D1

封装/外壳:TO-247-3 包装:托盘 描述:IGBT 1200V 56A 290W ISOPLUS247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

High-Speed IGBT

DESCRIPTION · High Current Handling Capability · Positive Thermal Coefficient of Vce(sat) · Anti-Parallel Ultra Fast Diode · Optimized for Low Switching Losses APPLICATIONS · High Power Density · Low Gate Drive Requirement

ISC

无锡固电

High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching

文件:186.5 Kbytes Page:7 Pages

IXYS

更新时间:2025-8-7 8:48:00
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