IXYN82N120C3H1价格

参考价格:¥162.6643

型号:IXYN82N120C3H1 品牌:IXYS 备注:这里有IXYN82N120C3H1多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXYN82N120C3H1批发/采购报价,IXYN82N120C3H1行情走势销售排行榜,IXYN82N120C3H1报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXYN82N120C3H1

IGBT

DESCRIPTION · High Current Handling Capability · Positive Thermal Coefficient of Vce(sat) · Anti-Parallel Ultra Fast Diode APPLICATIONS · SMPS · Motor Drives · Uninterruptible power supplies (UPS)

ISC

无锡固电

IXYN82N120C3H1

封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 包装:管件 描述:IGBT MOD 1200V 105A 500W SOT227B 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

IXYS

艾赛斯

IXYN82N120C3H1

XPT™ Planar IGBT

Littelfuse

力特

IXYN82N120C3H1

High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching

文件:192.03 Kbytes Page:7 Pages

IXYS

艾赛斯

1200V XPTTM IGBT GenX3TM w/ Diode

High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching Features • Optimized for Low Switching Losses • Square RBSOA • Anti-Parallel Ultra Fast Diode • Positive Thermal Coefficient of Vce(sat) • Avalanche Rated • High Current Handling Capability • International Standard Package Advantages • High Pow

IXYS

艾赛斯

Advance Technical Information

文件:100.35 Kbytes Page:2 Pages

IXYS

艾赛斯

IXYN82N120C3H1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXYN82N120C3H1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 XPT IGBT C3-Class 1200V/105A; Copack

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-2 16:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS(艾赛斯)
24+
SOT-227-4,miniBLOC
32000
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈
IXYS(艾赛斯)
25+
SOT-227-4,miniBLOC
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
IXYS
24+
NA
3207
进口原装正品优势供应
IXYS
19+/20+
SOT-227B
1000
主打产品价格优惠.全新原装正品
IXFN
23+
标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
IXYS/艾赛斯
23+
TO-220
65000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
24+
N/A
46000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS
22+
SOT227B
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
24+
MODULE
1000
全新原装现货

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