IXYN100N120C3H1价格

参考价格:¥182.7857

型号:IXYN100N120C3H1 品牌:Ixys 备注:这里有IXYN100N120C3H1多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXYN100N120C3H1批发/采购报价,IXYN100N120C3H1行情走势销售排行榜,IXYN100N120C3H1报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXYN100N120C3H1

1200V XPTTM IGBT GenX3TM w/ Diode

High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching Features • Optimized for Low Switching Losses • Square RBSOA • Isolation Voltage 2500V~ • Anti-Parallel Ultra Fast Diode • Positive Thermal Coefficient of Vce(sat) • Avalanche Rated • High Current Handling Capability • International Standard Pa

IXYS

IXYN100N120C3H1

High-Speed IGBT

DESCRIPTION ·Anti-Parallel Sonic Diode ·High Current Handing Capability ·Higt Power Density ·Low Gate Drive Requirement ·Optimized For Low Switching Losses APPLICATIONS ·UPS ·SMPS ·High Frequency Power Inverters ·Motor Drives

ISC

无锡固电

IXYN100N120C3H1

IGBT

DESCRIPTION · High Current Handling Capability · Isolation Voltage 2500V~ · Optimized for Low Switching Losses APPLICATIONS · UPS · Motor Drives · SMPS

ISC

无锡固电

IXYN100N120C3H1

封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 包装:散装 描述:IGBT MOD 1200V 134A 690W SOT227B 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

IXYS

IXYN100N120C3H1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXYN100N120C3H1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-12 18:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS/艾赛斯
18+
MODULE
1290
主打模块,大量现货供应商QQ2355605126
IXYS
24+
MODULE
1000
全新原装现货
23+
NA
6800
原装正品,力挺实单
IXYS/艾赛斯
2023+
MODULE
86
主打螺丝模块系列
IXYS/艾赛斯
23+
NA
12730
原装正品代理渠道价格优势
IXYS
22+
SOT227B
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS/艾赛斯
23+
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXS
2447
SMD
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
IXFN
23+
标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保

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