IXYN100N120C3H1价格

参考价格:¥182.7857

型号:IXYN100N120C3H1 品牌:Ixys 备注:这里有IXYN100N120C3H1多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXYN100N120C3H1批发/采购报价,IXYN100N120C3H1行情走势销售排行榜,IXYN100N120C3H1报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXYN100N120C3H1

1200VXPTTMIGBTGenX3TMw/Diode

High-SpeedIGBT for20-50kHzSwitching Features •OptimizedforLowSwitchingLosses •SquareRBSOA •IsolationVoltage2500V~ •Anti-ParallelUltraFastDiode •PositiveThermalCoefficientof Vce(sat) •AvalancheRated •HighCurrentHandlingCapability •InternationalStandardPa

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXYN100N120C3H1

High-SpeedIGBT

DESCRIPTION ·Anti-ParallelSonicDiode ·HighCurrentHandingCapability ·HigtPowerDensity ·LowGateDriveRequirement ·OptimizedForLowSwitchingLosses APPLICATIONS ·UPS ·SMPS ·HighFrequencyPowerInverters ·MotorDrives

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IXYN100N120C3H1

封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 包装:散装 描述:IGBT MOD 1200V 134A 690W SOT227B 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

IXYN100N120C3H1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXYN100N120C3H1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-21 11:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
24+
SOT-227-4,miniBLOC
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
IXYS/艾赛斯
21+ROHS
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
搴曚环
21+
N/A
2092
全新原装亏本出13157115792
Littelfuse/IXYS
新批次
SOT-227
4500
IXYS
21+
SOT227B
13880
公司只售原装,支持实单
IXS
2021+
SMD
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
IXYS/艾赛斯
23+
NA
12730
原装正品代理渠道价格优势
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS
23+
IGBTXPT1200V134ASOT-227B
1700
专业代理销售半导体模块,能提供更多数量
IXYS/艾赛斯
23+
SOT-227B
90000
只做原装全系列供应价格优势可开增票

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