IXYH50N120C3D1价格

参考价格:¥27.6507

型号:IXYH50N120C3D1 品牌:IXYS 备注:这里有IXYH50N120C3D1多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXYH50N120C3D1批发/采购报价,IXYH50N120C3D1行情走势销售排行榜,IXYH50N120C3D1报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXYH50N120C3D1

High-Speed IGBT

DESCRIPTION · High Current Handling Capability · Positive Thermal Coefficient of Vce(sat) · Anti-Parallel Ultra Fast Diode · Optimized for Low Switching Losses APPLICATIONS · High Power Density · Low Gate Drive Requirement

ISC

无锡固电

IXYH50N120C3D1

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 1200V 90A 625W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

IXYH50N120C3D1

XPT™ Planar IGBT

Littelfuse

力特

IXYH50N120C3D1

High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching

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IXYS

艾赛斯

1200V XPTTM IGBT GenX3TM w/ Diode

High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching Features • Silicon Chip on Direct-Copper Bond (DCB) Substrate • Isolated Mounting Surface • 2500V~ Electrical Isolation • Optimized for Low Switching Losses • Square RBSOA • Positive Thermal Coefficient of Vce(sat) • Anti-Parallel Ultra Fast

IXYS

艾赛斯

IXYH50N120C3D1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXYH50N120C3D1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 XPT 1200V IGBT GenX6 XPT IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-29 18:52:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS
23+
TO-247
10000
全新、原装
IXYS
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IGBT
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原厂原装,价格优势
IXYS
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TO247 (IXYH)
9000
原装正品,支持实单
IXYS
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IXYS/Littelfuse
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TO-247
15800
全新原装正品现货直销
IXYS/艾赛斯
23+
IXYH50N120C3D1
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