位置：首页 > IC中文资料第412页 > IXXH75N60C3
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXXH75N60C3 | Preliminary Technical Information 文件：175.38 Kbytes Page：6 Pages | IXYS 艾赛斯 |   | |
IXXH75N60C3 | 封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 150A 750W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS 艾赛斯 | | |
封装/外壳：TO-247-2 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IGBT 600V 150A 750W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS 艾赛斯 | | ||
XPTTM 600V IGBT 文件：193.02 Kbytes Page：7 Pages | IXYS 艾赛斯 | |
IXXH75N60C3产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXXH75N60C3
- 功能描述
IGBT 晶体管 XPT 600V IGBT GenX3 Power Device
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
更新时间：2025-8-16 17:22:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO247 |
33500 |
全新进口原装现货,假一罚十 |
|||
IXYS |
2123 |
TO-247 |
5000 |
全新原装公司现货
|
|||
IXYS |
23+ |
N/A |
12000 |
IXYS长期原装现货特价支持主营品牌现货现货 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO-247 |
13550 |
只做原装假一罚十 |
|||
IXYS |
22+ |
TO247 (IXXH) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
20000 |
||||
IXYS |
21+ |
TO-247 |
3600 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
25+ |
TO-247 |
32000 |
IXYS/艾赛斯全新特价IXXH75N60C3D1即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO-247 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
IXYS |
2447 |
TO-247AD |
105000 |
30个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
IXXH75N60C3芯片相关品牌
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2023-9-18IXYH24N170C
IXYH24N170C
2023-5-24IXYH50N120C3D1
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2023-5-24IXTH60N20X4
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2022-8-31IXTH60N20X4
IXTH60N20X4
2022-8-11IXTT16N10D2
IXTT16N10D2
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