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IXXH60N65B4价格
参考价格：￥18.7105
型号：IXXH60N65B4 品牌：IXYS 备注：这里有IXXH60N65B4多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IXXH60N65B4批发/采购报价，IXXH60N65B4行情走势销售排行榜，IXXH60N65B4报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXXH60N65B4 | Preliminary Technical Information 文件：174.16 Kbytes Page：6 Pages | IXYS 艾赛斯 |   | |
IXXH60N65B4 | 封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 650V 116A 455W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS 艾赛斯 | | |
IXXH60N65B4 | XPT™ 沟槽 IGBT | Littelfuse 力特 | | |
IGBT DESCRIPTION · Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.2V@IC=60A · Short Circuit Capability · Low Power Loss APPLICATIONS · Power Inverters · SMPS · Battery Chargers | ISC 无锡固电 | | ||
封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 650V 116A 380W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS 艾赛斯 | | ||
Preliminary Technical Information 文件：190.04 Kbytes Page：8 Pages | IXYS 艾赛斯 | |
IXXH60N65B4产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXXH60N65B4
- 功能描述
IGBT 晶体管 650V/116A TRENCH IGBT GENX4 XPT
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Littelfuse/IXYS |
24+ |
TO-247 |
928 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
3452 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
IXYS |
18+ |
TO-247 |
76 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
16+ |
TO-247-3 |
30404 |
全新原装现货 |
|||
IXYS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO-247 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
NA |
605 |
有挂有货原装正品现货,假一赔十 |
|||
IXYS |
23+ |
TO247 (IXXH) |
9000 |
原装正品，支持实单 |
|||
IXYS |
24+ |
N/A |
605 |
只做原装 |
IXXH60N65B4规格书下载地址
IXXH60N65B4参数引脚图相关
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2023-9-18IXYH24N170C
IXYH24N170C
2023-5-24IXYH50N120C3D1
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2023-5-24IXTH60N20X4
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IXTH60N20X4
2022-8-11IXTT16N10D2
IXTT16N10D2
2022-6-9
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