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IXUC200N055

Trench Power MOSFET ISOPLUS220

Trench Power MOSFET ISOPLUS220™ Electrically Isolated Back Surface Features • Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate - High power dissipation - Isolated mounting surface - 2500V electrical isolation • Trench MOSFET - very low RDS(on) - fast switching - usable intr

IXYS

艾赛斯

IXUC200N055

Trench Power MOSFET ISOPLUS220

Littelfuse

力特

IXUC200N055产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXUC200N055

  • 功能描述

    MOSFET 200 Amps 55V 4 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-21 11:11:00
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