位置：首页 > IC中文资料第8077页 > IXTZ550N055T2
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXTZ550N055T2 | N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode 文件：211.07 Kbytes Page：6 Pages | IXYS |   | |
N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 550A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.3mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Converters · Faster Switching | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode 文件：189.16 Kbytes Page：6 Pages | IXYS | | ||
TrenchT2 GigaMOS Power MOSFET 文件：184.04 Kbytes Page：6 Pages | IXYS | | ||
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode 文件：189.16 Kbytes Page：6 Pages | IXYS | |
IXTZ550N055T2产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXTZ550N055T2
- 功能描述
MOSFET 550Amps 55V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
1922+ |
ISOPLUS220 |
1855 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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AMIS |
24+ |
TQFP |
2560 |
绝对原装!现货热卖! |
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IXYS/艾赛斯 |
2450+ |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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24+ |
6000 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
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IXYS |
23+ |
ISOPLUS220 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
ISOPLUS220 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
IXYS |
22+ |
DE475 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
ISOPLUS220 |
5000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-220 |
7000 |
||||
IXYS |
23+ |
TO-220 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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IXTT16N10D2
2022-6-9
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