IXTU12N06T价格

参考价格:¥3.6528

型号:IXTU12N06T 品牌:IXYS 备注:这里有IXTU12N06T多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXTU12N06T批发/采购报价,IXTU12N06T行情走势销售排行榜,IXTU12N06T报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXTU12N06T

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

IXTU12N06T

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

文件:168.73 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTU12N06T

N-Channel: Trench-Gate Power MOSFETs with HiPerFET™ Options

Littelfuse

力特

60V N-Channel DTMOS

Features  Trench Power DTMOS Technology  Low RDS(ON)  Low Gate Charge  Optimized for Fast-switching Applications Applications  Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters  Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial

WUMC

紫光国微

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.75352 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

12 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:195.03 Kbytes Page:5 Pages

UTC

友顺

12A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:194.68 Kbytes Page:3 Pages

UTC

友顺

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:230.11 Kbytes Page:5 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

IXTU12N06T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTU12N06T

  • 功能描述

    MOSFET 12 Amps 6V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-16 16:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
24+
TO251
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
IXYS
24+
TO-251
146
IXYS
23+
TO-251
7000
IXYS
20+
TO-251
38900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
VBsemi
21+
TO251
10065
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
VBsemi
23+
TO251
50000
全新原装正品现货,支持订货
IXYS/艾赛斯
23+
TO-251
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS
22+
TO2513 Short Leads IPak TO251A
9000
原厂渠道,现货配单
VBSEMI
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con
35960
查现货到京北通宇商城

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