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位置：首页 > IC中文资料第3772页 > IXTP180N085T

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXTP180N085T

TrenchMVTMPowerMOSFET

文件：219.77 Kbytes Page：5 Pages

IXYS

IXYS Corporation

IXYS
IXTP180N085T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：295.26 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IXFK180N085

HiPerFETPowerMOSFETs

HiPerFETPowerMOSFETs SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicrectifier Ap

IXYS

IXYS Corporation

IXYS
IXFR180N085

HiPerFET-TMPowerMOSFETsISOPLUS247-TM(ElectricallyIsolatedBackSurface)

HiPerFET™PowerMOSFETsISOPLUS247™(ElectricallyIsolatedBackSurface) SingleMOSFETDie Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation •Lowdraintotabcapacitance(

IXYS

IXYS Corporation

IXYS
IXFR180N085

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=85V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IXFX180N085

HiPerFETPowerMOSFETs

HiPerFETPowerMOSFETs SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicrectifier Ap

IXYS

IXYS Corporation

IXYS
IXFX180N085

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=85V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IXTP180N085T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTP180N085T

  • 功能描述

    MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

IXTP180N085T供应商更多...

更新时间：2025-7-29 15:26:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
IXTP180N10T
Littelfuse/IXYS
24+
TO220
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
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深圳市河锋鑫科技有限公司
IXTP180N085T
IXYS
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TO2203
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原厂渠道,现货配单
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深圳市创新迹电子有限公司
IXTP180N085T
IXYS/艾赛斯
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进口原装现货供应,原装 假一罚十
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深圳市安富世纪电子有限公司
IXTP180N085T
IXYS/艾赛斯
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TO-220
32500
现货很近!原厂很远!只做原装
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艾睿（深圳）半导体有限公司
IXTP182N055T
IXYS/艾赛斯
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TO-220
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深圳市华斯顿科技有限公司
IXTP182N055T
IXYS原装
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深圳市华来深电子有限公司
IXTP180N085T
IXYS
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TO-220-3
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IXTP182N055T
IXYS
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深圳市莱克讯科技有限公司
IXTP182N055T
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深圳市星辰微电科技有限公司
IXTP180N10T
IXYS(艾赛斯)
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IXYS(艾赛斯)全系列在售
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