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HiPerFET Power MOSFETs

N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOS™ Family Features ● International standard package JEDEC TO-247 AD ● Low RDS (on) HDMOSTM process ● Rugged polysilicon gate cell structure ● Unclamped Inductive Switching (UIS) rated ● Low package inductance - easy to drive and to pro

IXYS

艾赛斯

更新时间:2025-11-4 20:53:01
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