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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AO4427 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The device is ESD protected. Standard Product AO4427 is Pb-free (meets ROHS &

AOSMD

万国半导体

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Load Switches - Notebook PCs - Desktop PCs

VBSEMI

微碧半导体

30V P-Channel MOSFET

General Description The AO4427 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The device is ESD protected. Product Summary VDS (V) = -30V I

WHXPCB

万和兴电子

Gasket design for optimal acoustic performance

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

30V P-Channel MOSFET

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AOSMD

万国半导体

更新时间:2025-11-6 10:57:01
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AOS/万代
2019+
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3470
原厂渠道 可含税出货

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