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isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·Drain Current ID= 60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 140mΩ(Max) ·100 Avalanche Tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·High current , high speed s

ISC

无锡固电

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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DACO

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PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

更新时间:2025-11-6 22:59:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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