IXKC25N80C价格

参考价格:¥62.7962

型号:IXKC25N80C 品牌:Ixys 备注:这里有IXKC25N80C多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXKC25N80C批发/采购报价,IXKC25N80C行情走势销售排行榜,IXKC25N80C报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXKC25N80C

N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Electrically Isolated Back Surface

N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Electrically Isolated Back Surface Features • Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate - high power dissipation - isolated mounting surface - 2500 V electrical isolation • 3rd generation CoolMOS™ 1) power MOSFET - high

IXYS

艾赛斯

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 25A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.35.Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

HiPerFETTM Power MOSFETs

HiPerFET™ Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Features • International standard packages • JEDECTO-264 AA,epoxymeet UL 94 V-0, flammability classification • miniBLOC, with Aluminium nitride isolation • Low RDS (on) HDMOSTM process • Rugged polysilic

IXYS

艾赛斯

HiPerFET Power MOSFETs

HiPerFET™ Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Features • International standard packages • JEDECTO-264 AA,epoxymeet UL 94 V-0, flammability classification • miniBLOC, with Aluminium nitride isolation • Low RDS (on) HDMOSTM process • Rugged polysilic

IXYS

艾赛斯

HiPerFET Power MOSFETs

文件:157.32 Kbytes Page:4 Pages

IXYS

艾赛斯

HiPerFET Power MOSFETs

文件:157.32 Kbytes Page:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXKC25N80C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXKC25N80C

  • 功能描述

    MOSFET 25 Amps 800V 0.15 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-6 8:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
23+
TO-220
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
IXYS
22+
ISOPLUS220?
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
24+
TO-247
8866
IXYS
25+
ISOPLUS22
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS
23+
ISOPLUS220
213
全新原装正品现货,支持订货
IXYS/艾赛斯
23+
ISOPLUS22
5000
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、
IXYS
25+
TO-220
326
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!

IXKC25N80C数据表相关新闻

  • IXFT60N60X3HV

    IXFT60N60X3HV

    2022-8-11
  • IXFP22N65X2M

    原装正品现货

    2022-7-19
  • IXGH60N60C3D1

    IXGH60N60C3D1,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-12-2
  • IXOLAR?高效25%SolarMD模块SM111K04L

    IXYS / Littelfuse的SolarMD模块非常适合为许多类型的电池供电或绿色电力产品充电

    2019-9-17
  • IXOLAR?高效25%SolarBIT太阳能电池KXOB25-12X1F

    IXYS / Littelfuse的SolarBIT非常适合为许多类型的电池供电的电网产品充电

    2019-9-17
  • IXPD610-工业控制IC

    IXDP610数字脉宽调制器(DPWM)是一个可编程CMOS LSI器件接收数字从一个微处理器的脉冲宽度数据并生成两个相辅相成的,非重叠,脉冲宽度调制直接数字控制信号开关电源的桥梁。 DPWM是根据操作直接控制的微处理器和与大多数标准的接口,轻松微处理器和微型计算机巴士。 IXDP610封装在18引脚超薄的DP。所产生的PWM波形IXDP610从比较的结果输出的脉冲宽度计数器在脉冲宽度存储的电话号码锁存(见下文)。一个可编程“死时间”已被纳入PWM波形。死区时间逻辑禁用在每两个输出比较器输出的过渡所需的死区时间间隔。输出级提供互补PWM输出信号的能力下沉和采购20毫安的TTL电压水平。输出禁用

    2012-11-29